IDT 是射频电路研发创新的领导者,也是领先通信系统提供商所信赖的供应商。我们使用 Smart Silicon™ 方法将最佳工艺技术与我们独特的电路级创新相结合,打造差异化 RF 产品组合。

  • 电路级创新——提高系统级性能和可重复性、降低功耗、提高可靠性。
  • Smart Silicon™ 创新技术——独特的产品解决方案,使用最佳工艺技术在 SOI、GaAS、GaN 或 SiGe 中实现高性能
  • 值得信赖的合作伙伴——为全球领先的通信系统供应商提供技术,在全球网络中完成部署
  • 成熟的产品组合——丰富的产品组合,业经验证的可靠性,涵盖简单的单功能组件乃至复杂的 RF 子系统

业界领先的 RF 创新

Glitch-Free™ 技术:IDT 的数字步进衰减器 (DSA) 几乎消除了标准 DSA 在 MSB 衰减状态转换过程中发生的瞬时过冲。采用 Glitch-Free 技术,ADC 的放大器损坏和信息损失得以避免。

FlatNoise™ 技术:增益在下降时,IDT 的可变增益放大器 (VGA) 噪声系数在关键区域基本持平。通过增强信噪比 (SNR),可显著降低射频电工程师的设计限制。

Zero-Distortion™ 技术:IDT 的 RF 放大器RF 混频器通过降低本底噪声和三阶互调失真,改善 SNR。这对于拥挤的频谱环境来说至关重要,因为这样可加强服务质量 (QoS) 并释放未利用的频谱。

K|Z| 恒阻抗技术:IDT 的 RF 开关在 RF 端口间切换时能保持近乎恒定的阻抗。通过控制切换过程中的阻抗,可以最大程度地降低电压驻波比 (VSWR) 瞬态。这就提升了开关的可靠性,降低下游组件承受的电压应力,并改善系统总体性能。

KLIN 恒定线性度技术: IDT 的可变增益放大器在调整增益时保持恒定的高线性度。随着增益降低,线性度 (OIP3) 会在关键域内保持恒定不变。这可防止随着增益降低而影响互调失真。

关于 IDT 的 RF 解决方案

IDT 提供高性能且功能全面的射频 (RF) 产品,帮助应对日益拥挤的无线电频谱产生的无用干扰。如今,更高的数据速率要求设备达到更佳的无线电信噪比,这就需要采用 IDT 具有更高线性度的 RF 器件。IDT 的专利 RF 解决方案提供独特的技术创新,可满足各种应用不断发展的需求,其中包括蜂窝 4G 基站、通信系统、微波 (RF/IF)、CATV 测试测量和工业应用。

Documentation & Downloads

文档标题 他の言語 Type 文档格式 文件大小 降序排列
其它
Voltage Variable Attenuators Overview Overview PDF 95 KB
Digital Step Attenuators Product Overview ( 简体中文) English, 日本語 Overview PDF 185 KB
IDT Products for Wired Broadband Applications Application Briefs PDF 686 KB
RF Switches Family Overview ( 简体中文) English, 日本語 Overview PDF 695 KB
RF Mixer Family Overview ( 简体中文) English, 日本語 Overview PDF 795 KB
RF Amplifiers with Zero-Distortion Technology Overview PDF 1.10 MB
RF Products Family ( 简体中文) English, 日本語 Overview PDF 1.15 MB
IDT Products for Radio Applications 日本語 Product Brief PDF 2.34 MB