联系 IDT  |  投资者  |  媒体
关于 IDT
产品信息
应用方案
支持信息
我的IDT
 

先进存储缓冲器

IDT 先进存储缓冲器(AMB)器件完全符合 JEDEC AMB 规范,是新一代高带宽应用,如要求更完善的性能和更大存储容量的服务器、工作站和通信设备等应用的重要的构建模块。FB-DIMM 通道架构的主要特点是通道上的存储控制器和模块之间的高速、串行、点对点的连接。每个FB-DIMM 上的 AMB 芯片收集和分发进出 DIMM的数据,在芯片内部缓冲数据,并接收或转发到下一个 DIMM 或 存储控制器。这个独特的通道结构有助于系统设计者在不影响速度的情况下,采用一个系统中使用大量 DIMM。

更多产品信息

通用器件

部件编号 市场分类 说明 封装 速度 温度 电压
AMB0482C1 AMB FCBGA 655 NA C 5.0 V
AMB0483D0 AMB FCBGA 655 NA C 1.2 V
AMB0582C1 AMB FCBGA 655 NA C 5.0 V
 

相关文件

类型 标题 大小 修改日期
白皮书   用于先进服务器应用的存储解决方案 174 KB 02/08/2007
  绿色半导体封装 960 KB 07/12/2006
单页   先进存储缓冲器(AMB)单页 728 KB 03/27/2008
  IDT快速参考指南 475 KB 01/28/2008
产品变更通知   PCN#: TB0801-01 IDT 增加台湾 SPIL 作为 AMB 产品的备用测试和后端工厂 87 KB 01/27/2008


先进存储缓冲器 产品线新闻 文件类型
设计资源

Node: www.idt.com